SOI键合机EVG850/850LT

主要应用：

 SOI材料制备，该材料主要用于全介质抗辐射加固电路、高压CMOS电路、功率集成电路、高频电路、耐高温电路、MEMS等领域：

主要参数：

芯片和基板尺寸：100 - 200毫米，150毫米至300毫米

对准类型：平面对平面   槽口对槽口

定位精度：X和Y：±50µm    θ：±0.1°

结合力：高达5 N

键合波起始位置：灵活的从晶圆边缘向中心

真空系统：为9×10 -2毫巴（标准）和9x10-3毫巴（涡轮泵的选择）

键合腔室：由PP或PFA制成（可选）

清洗旋转：旋转到3000rpm，5S内可上升到3000rpm 

兆声喷嘴（选项）：

频率：1兆赫（3兆赫选项）

输出功率：30-60 W