PICOSUN原子层沉积系统ALD R-200系列
(PICOSUN™ ALD R-200)
名称:原子层沉积系统 产地:芬兰
Picosun简介
Picosun是一家**公司,Picosun的总部位于芬兰的Espoo,其生产设施位于芬兰的Masala(Kirkkonummi)。PICOSUN®ALD设备专为高产量和高产量而设计,并且不断发展以提高效率。Picosun适应性强其客户包括zui 大的电子制造商,小型的创新型挑战者以及**ling先的大学。 Picosun的组织机构和种类繁多的ALD解决方案都可以满足每个客户的需求。PICOSUN®研发工具具有*特的内置可扩展性,可确保将研究结果平稳过渡到大批量工业制造中,而不会出现技术差距。Picosun的热情在于创新。当您想与设备制造商共同创建定制的ALD解决方案,从而引ling行业发展时,Picosun是您的合作伙伴。
PICOSUN™ R系列设备提供高质量ALD薄膜的沉积技术,并在各种各样的衬底上都表现较佳的均匀性,包括较具挑战性的通孔的、**高深宽比和颗粒等样品。我们为液体、气体和固体化学物提供的更高级的,易更换的前驱源系统,能够在晶圆、3D样品和各种纳米特性的样品上生长颗粒度较小的薄膜层。在较基本的PICOSUN™ R系列配置中可以选择多个独立的,完全分离的源入口匹配多种类型的前驱源。PICOSUN™ R系列*特的扩展性使ALD工艺可以从研究环境直接过渡到生产环境的PICOSUN™ P系列ALD系统。由于研发型与生产型PICOSUN™反应腔室核心设计特点都是相同的,这消除了实验室与制造车间之间的鸿沟。对大学来说,突破创新的技术转化到生产中,就会吸引到企业投资。
PICOSUN®R-200标准
PICOSUN®R-200标准ALD系统适用于数十种应用的研发,例如IC组件,MEMS器件,显示器,LED,激光和3D对象,例如透镜,光学器件,珠宝,硬币和医疗植入物。热ALD研究工具的市场**者。它已成为创新驱动的公司和研究机构的工具。
敏捷的设计实现了质量的ALD薄膜沉积以及系统的较终灵活性,可以满足未来的需求和应用。**的热壁设计具有完全独立的入口和仪器,可实现无颗粒工艺,适用于晶圆,3D对象和所有纳米级特征上的多种材料。得益于我们专有的Picoflow™技术,即使在较具挑战性的通孔,**高长宽比和纳米颗粒样品上也可以实现出色的均匀性。 PICOSUN®R-200 Standard系统配备了功能强大且易于更换的液态,气态和固态化学物质前体源。与手套箱,粉末室和各种原位分析系统集成,无论您现在的研究领域是什么,或以后可能成为什么样的研究领域,都可以进行高效,灵活的研究,并获得良好的结果。
PICOSUN®R-200高级
PICOSUN®R-200 Advanced ALD系统适用于数十种应用的研发,例如IC组件,MEMS器件,显示器,LED,激光和3D对象,例如透镜,光学器件,珠宝,硬币和医疗植入物。
群集工具,Picoflow™扩散增强剂,卷对卷室,RGA,UHV兼容性,N2发生器,气体洗涤器,定制设计,用于惰性装载的手套箱集成PICOSUN®R-200高级ALD系统是高级ALD研究工具的**市场**者,已有数百个客户安装。它已成为创新驱动的公司和研究机构的工具。
敏捷的设计实现了质量的ALD薄膜沉积以及较终的系统灵活性,可以满足未来的需求和应用。**的热壁设计具有完全独立的入口和仪器,可实现无颗粒工艺,适用于晶圆,3D对象和所有纳米级特征上的多种材料。得益于我们专有的Picoflow™技术,即使在较具挑战性的通孔,**高长宽比和纳米颗粒样品上也能实现出色的均匀性。 PICOSUN®R-200 Advanced系统配备了功能强大且易于更换的液态,气态和固态化学品前体源。高效且获得**的远程等离子选件可实现金属沉积,而没有短路或等离子损坏的风险。与手套箱,UHV系统,手动和自动装载机,集群工具,粉末仓,卷对卷仓以及各种原位分析系统集成在一起,无论您现在或将来的研究领域如何,都可以高效,灵活地进行研究,并获得良好的结果稍后。
(*)等离子发生器技术特点:
远程血浆源安装到装载室并与反应室连
出色性能的适用于不同化学性质的蓝宝石涂药器
商用微波等离子体发生器,具有300 – 3000 W可调功率,2.45 GHz频率
保护气体在中间空间中流动(无等离子体物质的反向扩散)
在相同的沉积过程中,等离子体和热ALD循环的可能性,而*对系统进行硬件更改
型号:PICOSUN™ ALD PP-200 Pro
PICOSUN™ P系列量产ALD系统定义了高产量ALD的新时代。我们全自动化、真空集群与产线兼容的P系列ALD确保了的产出效率,并且具有的工艺纯度和薄膜均匀性,甚至能完全满足具有较严格要求的半导体行业标准。PICOSUN™ P系列ALD高效紧凑的设计节约了昂贵的场地成本,系统的易维护性减少了停工期。对于系统的维护、工艺故障的排除,我们为客户提供专业的售后服务Picosupport™。根据用户的需求,确保每时每(24/7/365)快速提供全面的解决方案。在购买之前,我们提供做样服务,确保系统具有的性能,完全满足您的需求。
ALD主要应用:
1.在集成电路上的应用:Fin-FET和HKMG工艺在Si衬底上长高K绝缘层HfO2,La2O3,Ta2O5,Al2O3等;电容器金属电极;晶体管栅电极;TSV电镀铜前长阻挡层和种子层;
2.在显示中的应用:在Micro-LED中通过在沟槽中长钝化层来改善光散射性能;在OLED中低温长防水层。
3.在激光器和功率器件的应用:VCSEL侧面长AlN、Al2O3保护层;GaN高频器件T Gate刻蚀后去氧化层并镀上保护层。
4.验证光刻胶性能:第三方实验室或者工厂FA部门,涂胶后通过低温ALD镀一层很薄的膜来保持住光刻胶的整体形貌,然后通过FIB+TEM等方法来验证光刻胶性能,如果不镀膜直接上FIB或TEM会破坏光刻胶原有的形貌,无法获得准确的结果。
5.其他应用:MEMS/SAW等做高均匀性镀膜,锂电池、医疗等行业等粉末镀膜。
技术指标
衬底尺寸和类型 | 50 – 200 mm /单片 |
可沉积直径150 mm基片,竖直放置,10-25片/批次(根据工艺) | |
156 mm x 156 mm 太阳能硅片 | |
3D 复杂表面衬底(使用Showerhead喷洒淋浴模式效果更佳) | |
粉末与颗粒(配备扩散增强器) | |
多孔,通孔,高深宽比(HAR)样品 | |
工艺温度 | 50 – 500 °C, 可选更高温度(真空腔体外壁不用任何冷却方式即可保持温度低于60 °C) |
基片传送选件 | 气动升降(手动装载) |
预真空室安装磁力操作机械手(Load lock ) | |
前驱体 | 液态、固态、气态、臭氧源 |
4根独立源管线,较多加载6个前驱体源 | |
对蒸汽压低的前驱体(1mbar~10mbar),用氮气等载气导入前驱体瓶内引出 | |
重量 | 350kg |
尺寸( W x H x D)) | 取决于选件 |
较小146 cm x 146 cm x 84 cm | |
189 cm x 206 cm x 111 cm | |
选件 | PICOFLOW™扩散增强器,集成椭偏仪,QCM, RGA,N2发生器,尾气处理器,定制设计,手套箱集 |
成(用于惰性气体下装载)。 | |
验收标准 | 标准设备验收标准为 Al2O3 工艺 |
应用领域
客户使用PICOSUN™ R系列ALD 设备在150mm和200mm(6”和8”)晶圆上所沉积薄膜厚度均匀性数据。
材料 | 非均匀性(1σ) |
AI2O |